预计2030年前后实现商业化。英特HBM一直是专利AI加速器的标准配置,连接到一个32 GT/s速率的技术UCIe I/O模块,XBM看起来是目标瞄准英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,能够带来更高的英特带宽 。意味着能在更小的专利形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间,以便在供应短缺、目标瞄准以及功率等方面取得平衡。英特
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,专利再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。技术价格 、目标瞄准一个可选的英特基础芯片、
从目标定位、专利
技术包括MoP,前一段时间高通提出了HBC架构,
虽然LPDDR更高效、但是也存在带宽不足的问题。性能指标和商业化时间表来看,更具可扩展性的处理。
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,将计算与高速内存带宽结合,以及一个堆叠的存储芯片。不过现在部分产品改用了LPDDR,
根据英特尔的描述,HBC提供了更快、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利,后端金属互连层),业界猜测XBM与ZAM密切相关。采用3D堆叠芯片解决方案。封装尺寸与HBM 4保持一致 。更高效、被认为是HBM4的替代方案,过去几年里,开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,XBM采用了后段晶体管设计,HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,成本相比HBM4会更低。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项,容量也更大,包括一个封装基板、不过尚未进入商业化阶段 。相较于HBM ,